生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | FREDFET | 雪崩能效等级(Eas): | 650 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (ID): | 13 A | 最大漏源导通电阻: | 0.45 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 200 pF |
JEDEC-95代码: | TO-218 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 52 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大开启时间(吨): | 165 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STH13NB60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
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STH13NB60FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
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STH-14 | ETC |
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SPACERS/STANDOFF ORGANIZER KITS |
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STH140N10F4-2 | STMICROELECTRONICS |
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120A, 100V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, H2PAK-3 |
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STH140N6F7-2 | STMICROELECTRONICS |
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High avalanche ruggedness |
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STH140N6F7-6 | STMICROELECTRONICS |
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High avalanche ruggedness |
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STH140N8F7-2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET, |
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STH145N8F7-2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSF |
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STH14N50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.1A I(D) | TO-218 |
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STH14N50FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-218VAR |
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