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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 21页 | 806K |  |
| 描述 | ||
| N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装 | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 1.56 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 215 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.69 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH12N120K5-2AG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 |
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| STH12N60 | STMICROELECTRONICS |
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N-Channel enhancement mode fast power mos transistor |
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| STH12N60FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
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| STH12NA60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH12NA60FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH13009 | STMICROELECTRONICS |
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High voltage fast-switching NPN power transistor |
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| STH13090 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
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| STH13091 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
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| STH130N10F3-2 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET |
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| STH13N120K5-2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSF |
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