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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 180 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 150 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH12N60FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
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| STH12NA60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH12NA60FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH13009 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High voltage fast-switching NPN power transistor |
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| STH13090 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
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| STH13091 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
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| STH130N10F3-2 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET |
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| STH13N120K5-2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSF |
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| STH13N50D | STMICROELECTRONICS |
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13A, 500V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
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| STH13NB60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
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