STH10NA50

更新时间： 2024-02-23 02:59:30

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STH10NA50 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-218	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	460 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.6 A
最大漏极电流 (ID)：	9.6 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	38 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STH10NA50 数据手册

STH10NA50/FI

STW10NA50

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FAST POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STH10NA50

STH10NA50FI

STW10NA50

500 V

< 0.8 Ω

9.6 A

5.6 A

9.6 A

TO-247

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.7 Ω

± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE GHARGE MINIMIZED

REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

DESCRIPTION

This series of POWER MOSFETS represents the

most advanced high voltage technology. The

TO-218

ISOWATT218

optimized cell layout coupled with

a new

proprietary edge termination concur to give the

device low R_DS(on)and gate charge, unequalled

ruggedness and superior switching performance.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE

POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

STW/STH10NA50 STH10NA50FI

Unit

V_DS

V_{DG R}

V_GS

I_D

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain-gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

500

± 30

9.6

6.1

5.6

3.5

I_D

I_DM(•)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

150

1.2

W/^oC

^oC

Derating Factor

0.48

4000

V_ISO

T_stg

T_j

Insulation Withstand Voltage (DC)

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/11

November 1996

12 3 4 5 6 7...11

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与STH10NA50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STH10NA50FI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH10NC60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWAT
STH10NC60FI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWAT
STH10NK60ZFI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-218VAR
STH11020	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-218AA
STH11022	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-218AA
STH110N10F7-2	STMICROELECTRONICS	获取价格	High avalanche ruggedness
STH110N10F7-6	STMICROELECTRONICS	获取价格	High avalanche ruggedness
STH11K	SUNTSU	获取价格	Suntsu TCXO’s and VCTCXO’s are available in t
STH12N120K5-2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，

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