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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
双极性晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 17页 | 586K |  |
| 描述 | ||
| 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 35 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 144 ns | 标称接通时间 (ton)： | 24 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGB19NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
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20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KT4 | STMICROELECTRONICS |
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20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60WT4 | STMICROELECTRONICS |
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40A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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| STGB20H60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT |
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| STGB20H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package |
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| STGB20H65FB2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package |
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| STGB20M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗 |
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| STGB20N40LZ | STMICROELECTRONICS |
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汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ |
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| STGB20N45LZAG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ |
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| STGB20NB32LZ | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALL |
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