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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | TO-263, D2PAK-3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 2.25 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 272 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 32 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGB19NC60HT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
40A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3 |
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| STGB19NC60K | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60WT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
40A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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| STGB20H60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT |
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| STGB20H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package |
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| STGB20H65FB2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package |
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| STGB20M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗 |
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