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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 130 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 272 ns | 标称接通时间 (ton)： | 32 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGB19NC60K | STMICROELECTRONICS |
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20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KD | STMICROELECTRONICS |
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20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KT4 | STMICROELECTRONICS |
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20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60WT4 | STMICROELECTRONICS |
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40A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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| STGB20H60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT |
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| STGB20H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package |
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| STGB20H65FB2 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package |
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| STGB20M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗 |
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| STGB20N40LZ | STMICROELECTRONICS |
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汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ |
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