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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.61 | 其他特性： | ULTRA FAST |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 242 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 23 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGB12NB60KD | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT |
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| STGB12NB60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT |
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| STGB14NC60K | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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| STGB14NC60K_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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| STGB14NC60KD | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
|
| STGB14NC60KD_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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| STGB14NC60KD_08 | STMICROELECTRONICS |
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14 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB14NC60KD_10 | STMICROELECTRONICS |
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14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT |
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| STGB14NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
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14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT |
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| STGB14NC60KT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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