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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | VOLTAGE CLAMPING |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 420 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 2.3 V | 门极-发射极最大电压： | 16 V |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AUTOMOTIVE IGNITION |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 22200 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 4450 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGB18N40LZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT |
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| STGB19NC60HD | STMICROELECTRONICS |
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19 A - 600 V - very fast IGBT |
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| STGB19NC60HD_0810 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
19 A - 600 V - very fast IGBTE[ |
|
| STGB19NC60HD_09 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
19 A - 600 V - very fast IGBT |
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| STGB19NC60HDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
19 A - 600 V - very fast IGBT |
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| STGB19NC60HT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
40A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3 |
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| STGB19NC60K | STMICROELECTRONICS |
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20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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| STGB19NC60KT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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