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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 双极性晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
17页 | 834K | |
描述 | ||
N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | 最大集电极电流 (IC): | 25 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值: | 6.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-263AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 340 ns | 标称接通时间 (ton): | 31.5 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
STGB14NC60KD_06 | STMICROELECTRONICS | N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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STGB14NC60KD_08 | STMICROELECTRONICS | 14 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
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STGB14NC60KD_10 | STMICROELECTRONICS | 14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT |
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STGB14NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS | 14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT |
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STGB14NC60KT4 | STMICROELECTRONICS | N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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STGB15H60DF | STMICROELECTRONICS | 600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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