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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
双极性晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 16页 | 436K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 340 ns | 标称接通时间 (ton)： | 31.5 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGB14NC60K_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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| STGB14NC60KD | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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| STGB14NC60KD_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
|
| STGB14NC60KD_08 | STMICROELECTRONICS |
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14 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
|
| STGB14NC60KD_10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT |
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| STGB14NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT |
|
| STGB14NC60KT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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| STGB15H60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT |
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| STGB15M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
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沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、15 A，低损耗 |
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| STGB18N40LZ | STMICROELECTRONICS |
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EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT |
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