5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 18页 | 610K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 500 V, 0.23 Ω, 17 A SuperMESH? Power MOSFET Zener-protected TO-220, TO-247, TO-220FP, D2PAK | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 雪崩能效等级（Eas）： | 850 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 17 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP20NM50FP | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
|
| SIHF18N50D-E3 | VISHAY |
功能相似 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
|
| TK19A45D | TOSHIBA |
功能相似 |
Switching Regulator Applications |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF20NM50D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.22W - 20A TO-220/TO-220FP/ |
|
| STF20NM50FD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.22 Ω, 20 A D2PAK, TO-220F |
|
| STF20NM60A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 Ohm - 20A I2PAK/TO-220/TO-220FP |
|
| STF20NM60D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE) |
|
| STF20NM60FD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| STF21N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh⢠V P |
|
| STF21N65M5(045Y) | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.150 Ohm典型值、17 A MDmesh(TM) V功率MOSF |
|
| STF21N90K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-p |
|
| STF21NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
|
| STF21NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-2 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
