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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 18页 | 817K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600 V, 0.150 Ω, 19.5 A, FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) D²PAK, I²PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 19.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 78 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STF28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET， |
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| STF25NM60ND | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh? II Powe |
|
| STF23NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF24N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET |
|
| STF24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STF24N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，T |
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| STF24N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.185 Ohm典型值、16 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STF24NF12 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 120V - 0.070Ω - 24A TO-220FP Low ga |
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| STF24NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II |
|
| STF24NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO |
|
| STF25A60 | SEMIWELL |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
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| STF25A60 | WINSEMI |
获取价格 |
Bi-Directional Triode Thyristor |
|
| STF25N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
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