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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 22页 | 1235K |  |
| 描述 | ||
| N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-220FP, 3 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 0.95 | 雪崩能效等级（Eas）： | 760 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF28NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh |
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| STF28NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2 |
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| STF2907 | STMICROELECTRONICS |
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SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR |
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| STF2907A | STMICROELECTRONICS |
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SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR |
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| STF2HNK60Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 4.4ヘ - 2.0A TO-92/TO-220FP/I |
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| STF2N95K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，TO- |
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| STF2NK60Z | STMICROELECTRONICS |
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Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| STF3060C | SMC |
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SCHOTTKY RECTIFIER |
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| STF3060CR | SMC |
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SCHOTTKY RECTIFIER |
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| STF30N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh⢠V |
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