5秒后页面跳转
STF24NM65N PDF预览

STF24NM65N

更新时间: 2024-11-26 06:14:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
19页 553K
描述
N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

STF24NM65N 技术参数

生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.23Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):500 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):19 A最大漏极电流 (ID):19 A
最大漏源导通电阻:0.19 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):40 W最大脉冲漏极电流 (IDM):76 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STF24NM65N 数据手册

 浏览型号STF24NM65N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STF24NM65N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STF24NM65N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STF24NM65N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STF24NM65N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STF24NM65N的Datasheet PDF文件第7页 
STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65N  
STB24NM65N - STP24NM65N  
N-channel 650 V - 0.16 - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK  
I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET  
Features  
VDSS  
(@TJmax)  
Type  
RDS(on) max  
ID  
3
2
3
1
2
1
STB24NM65N  
STI24NM65N  
STF24NM65N  
STP24NM65N  
STW24NM65N  
710 V  
710 V  
710 V  
710 V  
710 V  
< 0.19  
< 0.19 Ω  
< 0.19 Ω  
< 0.19 Ω  
< 0.19 Ω  
19 A  
19 A  
19 A(1)  
PAK  
TO-220  
3
1
19 A  
PAK  
19 A  
3
3
2
1. Limited only by maximum temperature allowed  
2
1
1
TO-220FP  
100% avalanche tested  
TO-247  
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Application  
Switching applications  
Description  
This series of devices is designed using the  
second generation of MDmesh™ technology. This  
revolutionary Power MOSFET associates a new  
vertical structure to the company’s strip layout to  
yield one of the world’s lowest on-resistance and  
gate charge. It is therefore suitable for the most  
demanding high efficiency converters.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB24NM65N  
STI24NM65N  
STF24NM65N  
STP24NM65N  
STW24NM65N  
24NM65N  
24NM65N  
24NM65N  
24NM65N  
24NM65N  
PAK  
PAK  
Tape and reel  
Tube  
TO-220FP  
TO-220  
TO-247  
Tube  
Tube  
Tube  
February 2008  
Rev 1  
1/19  
www.st.com  
19  

STF24NM65N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STF28N65M2 STMICROELECTRONICS

类似代替

N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,T

与STF24NM65N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STF25A60 SEMIWELL

获取价格

Bi-Directional Triode Thyristor
STF25A60 WINSEMI

获取价格

Bi-Directional Triode Thyristor
STF25N60M2-EP STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSF
STF25N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET
STF25NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STF25NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STF25NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh? II Powe
STF26N60DM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、165 mOhm典型值、18 A MDmesh DM6功率MOSFET,
STF26N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,T
STF26N65DM2 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET