生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.23 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 500 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 19 A | 最大漏极电流 (ID): | 19 A |
最大漏源导通电阻: | 0.19 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 76 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STF28N65M2 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,T |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF25A60 | SEMIWELL |
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Bi-Directional Triode Thyristor | |
STF25N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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STF25N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET | |
STF25NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET | |
STF25NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET | |
STF25NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh? II Powe | |
STF26N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、165 mOhm典型值、18 A MDmesh DM6功率MOSFET, | |
STF26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,T | |
STF26N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET |