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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
23页 | 1142K | |
描述 | ||
N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 1.12 |
雪崩能效等级(Eas): | 610 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A | 最大漏极电流 (ID): | 20 A |
最大漏源导通电阻: | 0.165 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STF25NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF26NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2 | |
STF27N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.150 Ohm典型值、20 A MDmesh M2 EP功率MOSF | |
STF2818X0504-A | ETC |
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Stepping Motor | |
STF28-461 | CRANE |
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EMI INPUT FILTER 28 VOLT INPUT | |
STF28-461/HH | CRANE |
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STF28-461 EMI Input Filters | |
STF28-461/KH | CRANE |
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STF28-461 EMI Input Filters | |
STF28-461HH | CRANE |
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STF28-461 EMI Input Filters | |
STF28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET, | |
STF28N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STF28N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,T |