STF30NM60ND

更新时间： 2024-09-13 03:30:51

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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15页	290K
描述
N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)

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STF30NM60ND 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.385 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STF30NM60ND 数据手册

STP/F30NM60ND-STW30NM60ND

STB30NM60ND-STI30NM60ND

N-channel 600V - 0.11Ω - 25A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK/TO-247

FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode)

Preliminary Data

Features

Type

V_DSS

R_DS(on)Max

I_D

STB30NM60ND

STI30NM60ND

STF30NM60ND

STP30NM60ND

STW30NM60ND

600V

< 0.13Ω

25A

D²PAK

TO-220

25A⁽¹⁾

TO-220FP

25A

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ The world’s best R

*in TO-220 amongst

DS(on)

the fast recovery diode devices

I²PAK

TO-247

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Extremely high dv/dt and avalanche

capabilities

Application

■ Switching applications

Description

The FDmesh™ II series belongs to the second

generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company's strip layout

and associates all advantages of reduced on-

resistance and fast switching with an intrinsic fast-

recovery body diode.It is therefore strongly

recommended for bridge topologies, in particular

ZVS phase-shift converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB30NM60ND

STI30NM60ND

STF30NM60ND

STP30NM60ND

STW30NM60ND

30NM60ND

D²PAK

I²PAK

Tape & reel

Tube

TO-220FP

TO-220

TO-247

Tube

November 2007

Rev 1

1/15

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STF31N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET，
STF32N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V, 0.095 Î©, 24 A, MDmeshâ¢ V
STF33N60DM2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET
STF33N60DM6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET，
STF33N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，
STF33N60M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET，T
STF33N65M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET，
STF34N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET，T
STF34NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh? II Pow
STF34NM60ND	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, T

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