是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.77 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE ENERGY RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 650 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 24 A |
最大漏极电流 (ID): | 24 A | 最大漏源导通电阻: | 0.119 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 35 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 96 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STF34N65M5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET,T |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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STF33N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET,T | |
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STF34NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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STF35N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STF35N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET |