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STF40N65M2

更新时间： 2024-11-25 14:58:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
13页	429K
描述
N沟道650 V、0.087 Ohm典型值、32 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

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STF40N65M2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	2.28
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

STF40N65M2 数据手册

STF40N65M2

N-channel 650 V, 0.087 Ω typ., 32 A MDmesh™ M2

Power MOSFET in a TO-220FP package

Datasheet - production data

Features

Order code

V_DS

R_DS(on)max.

I_D

STF40N65M2

650 V

0.099 Ω

32 A

•

Extremely low gate charge

Excellent output capacitance (C_OSS) profile

100% avalanche tested

Zener-protected

Applications

TO-220FP

•

Switching applications

Figure 1: Internal schematic diagram

Description

D(2)

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using MDmesh™ M2 technology.

Thanks to its strip layout and an improved vertical

structure, the device exhibits low on-resistance

and optimized switching characteristics,

rendering it suitable for the most demanding high

efficiency converters.

G(1)

S(3)

AM15572v1_no_tab

Table 1: Device summary

Order code

Marking

Package

Packaging

STF40N65M2

40N65M2

TO-220FP

Tube

February 2015

DocID027442 Rev 1

1/13

www.st.com

This is information on a product in full production.

12 3 4 5 6 7...13

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