是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.79 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 0.0001 A |
集电极-发射极最大电压: | 300 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 75 | JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 1.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 60 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF42N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSF | |
STF42N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.070 Ω, 33 A MDmesh⢠V P | |
STF43N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STF45N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.067 ohm typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET | |
STF46N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package | |
STF4A60 | ETC |
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Bi-Directional Triode Thyristor | |
STF4A60S | SEMIWELL |
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Sensitive Gate Triacs | |
STF4LN80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET,TO- | |
STF4LNK60Z | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 2.2 Ω, 3.3 A, TO-220FP, DPAK | |
STF4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 1.7 Ω typ., 3.8 A SuperMESH |