STF4LNK60Z

更新时间： 2024-09-15 06:14:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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11页	201K
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N-channel 600 V, 2.2 Ω, 3.3 A, TO-220FP, DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

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STF4LNK60Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

STF4LNK60Z 数据手册

STD4LNK60Z

STF4LNK60Z

N-channel 600 V, 2.2 Ω, 3.3 A, TO-220FP, DPAK

Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Preliminary Data

Features

R_DS(on)

max

Type

V_DSS

I_D

STD4LNK60Z 600 V

STF4LNK60Z 600 V

< 2.7 Ω

3.3 A

70 W

25 W

■ Extremely high dv/dt capability

■ 100% avalanche tested

DPAK

TO-220FP

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitances

■ Improved ESD capability

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

■ Switching applications

Description

The SuperMESH™ series is obtained through an

extreme optimization of ST’s well established

strip-based PowerMESH™ layout. In addition to

pushing on-resistance significantly down, special

care is taken to ensure a very good dv/dt

capability for the most demanding applications.

Such series complements ST’s full range of high

voltage Power MOSFETs including revolutionary

MDmesh™ products.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

DPAK

TO-220FP

Packaging

STD4LNK60Z

STF4LNK60Z

4LNK60Z

Tape and reel

Tube

July 2008

Rev 1

1/11

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

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