是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.75 | 雪崩能效等级(Eas): | 230 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A |
最大漏极电流 (ID): | 40 A | 最大漏源导通电阻: | 0.045 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 160 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STF40NF20 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 200V - 0.038ヘ -40A- D2PAK/TO-220/TO |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF40N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STF40N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.087 Ohm典型值、32 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STF40NF06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 23A - TO-220FP STripFET II MOSFET | |
STF40NF06_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 0.024ヘ - 23A - TO-220FP STrip | |
STF40NF20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 200V - 0.038ヘ -40A- D2PAK/TO-220/TO | |
STF42 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR | |
STF42N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSF | |
STF42N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.070 Ω, 33 A MDmesh⢠V P | |
STF43N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STF45N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.067 ohm typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET |