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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
10页 | 403K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 900V - 3.5W - 3A TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.81 |
雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 900 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A | 最大漏极电流 (ID): | 3 A |
最大漏源导通电阻: | 4.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF3LN80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET,TO | |
STF3N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po | |
STF3NK100Z | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-2 | |
STF3NK80Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/I | |
STF40150C | ETC |
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DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220 | |
STF4045AF | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 36A I(C) | |
STF4045AV | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 36A I(C) | |
STF4045DF | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 42A I(C) | |
STF4045DV | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 42A I(C) | |
STF4060C | SMC |
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SCHOTTKY RECTIFIER |