是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | 雪崩能效等级(Eas): | 900 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A |
最大漏极电流 (ID): | 25 A | 最大漏源导通电阻: | 0.13 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPA60R125CP | INFINEON |
功能相似 ![]() |
CoolMOS Power Transistor |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ |
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STF31N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET, |
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STF32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V |
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STF33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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STF33N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET, |
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STF33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET, |
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STF33N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET,T |
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STF33N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET, |
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STF34N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET,T |
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STF34NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh? II Pow |
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