STF30NM60N

更新时间： 2024-11-24 06:14:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
18页	769K
描述
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

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STF30NM60N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STF30NM60N 数据手册

STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N

STP30NM60N, STW30NM60N

N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET

TO-220, TO-220FP, TO-247, D²PAK, I²PAK

Features

R_DS(on)

max

V_{DSS @}

T_Jmax

Type

I_D

P_W

STB30NM60N 650 V

STI30NM60N 650 V

<0.13Ω

<0.13Ω 25A⁽¹⁾40 W

25A

190 W

D²PAK

I²PAK

STF30NM60N 650 V

STP30NM60N 650 V

STW30NM60N 650 V

TO-247

<0.13Ω

25A

190 W

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ 100% avalanche tested

TO-220FP

TO-220

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

■ Switching applications

Description

This series of devices is designed using the

second generation of MDmesh™ Technology.

This revolutionary Power MOSFET associates a

new vertical structure to the Company’s strip

layout to yield one of the world’s lowest on-

resistance and gate charge. It is therefore suitable

for the most demanding high efficiency

converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB30NM60N

STI30NM60N

STF30NM60N

STP30NM60N

STW30NM60N

30NM60N

D²PAK

I²PAK

Tape and reel

Tube

TO-220FP

TO-220

TO-247

Tube

July 2008

Rev 2

1/18

www.st.com

12 3 4 5 6 7...18

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STF30NM60N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPA60R125CP	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STF30NM60ND	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/
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STF32N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V, 0.095 Î©, 24 A, MDmeshâ¢ V
STF33N60DM2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET
STF33N60DM6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET，
STF33N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，
STF33N60M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET，T
STF33N65M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET，
STF34N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET，T
STF34NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh? II Pow

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