5秒后页面跳转
STF30NM60N PDF预览

STF30NM60N

更新时间: 2024-02-23 02:42:49
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
18页 769K
描述
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

STF30NM60N 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73雪崩能效等级(Eas):900 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):25 A
最大漏极电流 (ID):25 A最大漏源导通电阻:0.13 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):40 W最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STF30NM60N 数据手册

 浏览型号STF30NM60N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STF30NM60N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STF30NM60N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STF30NM60N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STF30NM60N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STF30NM60N的Datasheet PDF文件第7页 
STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N  
STP30NM60N, STW30NM60N  
N-channel 600 V, 0.1 , 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET  
TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK  
Features  
RDS(on)  
max  
VDSS @  
TJmax  
Type  
ID  
PW  
3
3
1
2
1
STB30NM60N 650 V  
STI30NM60N 650 V  
<0.13Ω  
<0.13Ω  
<0.1325A(1) 40 W  
25A  
25A  
190 W  
190 W  
D²PAK  
I²PAK  
3
2
1
STF30NM60N 650 V  
STP30NM60N 650 V  
STW30NM60N 650 V  
TO-247  
<0.13Ω  
<0.13Ω  
25A  
25A  
190 W  
190 W  
3
3
1. Limited only by maximum temperature allowed  
2
2
1
1
100% avalanche tested  
TO-220FP  
TO-220  
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Application  
Switching applications  
Description  
This series of devices is designed using the  
second generation of MDmesh™ Technology.  
This revolutionary Power MOSFET associates a  
new vertical structure to the Company’s strip  
layout to yield one of the world’s lowest on-  
resistance and gate charge. It is therefore suitable  
for the most demanding high efficiency  
converters.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB30NM60N  
STI30NM60N  
STF30NM60N  
STP30NM60N  
STW30NM60N  
30NM60N  
30NM60N  
30NM60N  
30NM60N  
30NM60N  
PAK  
PAK  
Tape and reel  
Tube  
TO-220FP  
TO-220  
TO-247  
Tube  
Tube  
Tube  
July 2008  
Rev 2  
1/18  
www.st.com  
18  

STF30NM60N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPA60R125CP INFINEON

功能相似

CoolMOS Power Transistor

与STF30NM60N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STF30NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/
STF31N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET,
STF32N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh™ V
STF33N60DM2 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET
STF33N60DM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET,
STF33N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET,
STF33N60M6 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET,T
STF33N65M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET,
STF34N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET,T
STF34NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh? II Pow