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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 15页 | 421K |  |
| 描述 | ||
| N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 7 weeks |
| 风险等级： | 1.68 | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.165 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF26N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STF26NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2 |
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| STF26NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2 |
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| STF27N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.150 Ohm典型值、20 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
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| STF2818X0504-A | ETC |
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Stepping Motor |
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| STF28-461 | CRANE |
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EMI INPUT FILTER 28 VOLT INPUT |
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| STF28-461/HH | CRANE |
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STF28-461 EMI Input Filters |
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| STF28-461/KH | CRANE |
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STF28-461 EMI Input Filters |
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| STF28-461HH | CRANE |
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STF28-461 EMI Input Filters |
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| STF28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET， |
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