STF23NM60N

更新时间： 2024-11-06 06:14:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
19页	554K
描述
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STF23NM60N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.6
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	19 A
最大漏极电流 (ID)：	19 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STF23NM60N 数据手册

STB23NM60N-STF23NM60N

STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N

N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D²PAK - I²PAK - TO-220/FP

TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET

Features

V_DSS

(@Tjmax)

R_DS(on)

max

Type

I_D

STB23NM60N

STI23NM60N

STF23NM60N

STP23NM60N

STW23NM60N

19 A

19 A ⁽¹⁾

D²PAK

I²PAK

650 V

0.180 Ω

19 A

TO-247

19 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

TO-220FP

TO-220

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

■ Switching applications

Description

This series of devices is designed using the

second generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB23NM60N

STI23NM60N

STF23NM60N

STP23NM60N

23NM60N

D²PAK

I²PAK

Tape and reel

Tube

TO-220FP

TO-220

Tube

STW23NM60N

TO-247

Tube

March 2008

Rev 3

1/19

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

STF23NM60N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STF25NM60ND	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh? II Powe
STF23NM60ND	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.150 Ω, 19.5 A, FDmesh™ II
SPA20N65C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor

与STF23NM60N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STF23NM60ND	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.150 Ω, 19.5 A, FDmesh™ II
STF24N60DM2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET
STF24N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，
STF24N60M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，T
STF24N65M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.185 Ohm典型值、16 A MDmesh M2功率MOSFET，
STF24NF12	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 120V - 0.070Ω - 24A TO-220FP Low ga
STF24NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.168 Î©, 17 A MDmeshâ¢ II
STF24NM65N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO
STF25A60	SEMIWELL	获取价格	Bi-Directional Triode Thyristor
STF25A60	WINSEMI	获取价格	Bi-Directional Triode Thyristor

与STF23NM60N相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STF23NM60N

STF23NM60N 技术参数

STF23NM60N 数据手册

STF23NM60N 替代型号

与STF23NM60N相关器件

与STF23NM60N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STF23NM60N

STF23NM60N 技术参数

STF23NM60N 数据手册

STF23NM60N 替代型号

与STF23NM60N相关器件

与STF23NM60N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？