STF23NM60N

更新时间： 2024-11-23 06:14:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
19页	554K
描述
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET

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STF23NM60N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.6
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	19 A
最大漏极电流 (ID)：	19 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STF23NM60N 数据手册

STB23NM60N-STF23NM60N

STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N

N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D²PAK - I²PAK - TO-220/FP

TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET

Features

V_DSS

(@Tjmax)

R_DS(on)

max

Type

I_D

STB23NM60N

STI23NM60N

STF23NM60N

STP23NM60N

STW23NM60N

19 A

19 A ⁽¹⁾

D²PAK

I²PAK

650 V

0.180 Ω

19 A

TO-247

19 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

TO-220FP

TO-220

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

■ Switching applications

Description

This series of devices is designed using the

second generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB23NM60N

STI23NM60N

STF23NM60N

STP23NM60N

23NM60N

D²PAK

I²PAK

Tape and reel

Tube

TO-220FP

TO-220

Tube

STW23NM60N

TO-247

Tube

March 2008

Rev 3

1/19

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

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STF23NM60N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STF25NM60ND	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh? II Powe
STF23NM60ND	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.150 Ω, 19.5 A, FDmesh™ II
SPA20N65C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor

与STF23NM60N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STF23NM60ND	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.150 Ω, 19.5 A, FDmesh™ II
STF24N60DM2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET
STF24N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，
STF24N60M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，T
STF24N65M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.185 Ohm典型值、16 A MDmesh M2功率MOSFET，
STF24NF12	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 120V - 0.070Ω - 24A TO-220FP Low ga
STF24NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.168 Î©, 17 A MDmeshâ¢ II
STF24NM65N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO
STF25A60	SEMIWELL	获取价格	Bi-Directional Triode Thyristor
STF25A60	WINSEMI	获取价格	Bi-Directional Triode Thyristor

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