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STF24N60DM2

更新时间： 2024-11-24 14:58:15

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
13页	696K
描述
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220FP封装

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STF24N60DM2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	2.3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STF24N60DM2 数据手册

STF24N60DM2

N-channel 600 V, 0.175 Ω typ., 18 A MDmesh™ DM2

Power MOSFET in a TO-220FP package

Datasheet - production data

Features

Order code

V_DS@ T_JmaxR_DS(on)max.

650 V 0.200 Ω

I_D

STF24N60DM2

18 A



Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input

capacitance



Low on-resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

TO-220FP

Figure 1: Internal schematic diagram

Applications



Switching applications

Description

This high voltage N-channel Power MOSFET is

part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode

series. It offers very low recovery charge (Q_rr)

and time (t_rr) combined with low R_DS(on), rendering

it suitable for the most demanding high efficiency

converters and ideal for bridge topologies and

ZVS phase-shift converters.

Table 1: Device summary

Order code

Marking

Package

Packing

STF24N60DM2

24N60DM2

TO-220FP

Tube

September 2016

DocID025498 Rev 5

1/13

www.st.com

This is information on a product in full production.

12 3 4 5 6 7...13

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STF24N60DM2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STF21NM60ND	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.17 Ω, 17 A FDmesh™ II Powe

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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