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STF24N65M2

更新时间: 2024-11-27 14:58:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
20页 1178K
描述
N沟道650 V、0.185 Ohm典型值、16 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP封装

STF24N65M2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:2.26雪崩能效等级(Eas):650 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:650 V最大漏极电流 (Abs) (ID):16 A
最大漏极电流 (ID):16 A最大漏源导通电阻:0.23 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):64 A子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STF24N65M2 数据手册

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STB24N65M2, STF24N65M2,  
STP24N65M2  
N-channel 650 V, 0.185 Ω typ., 16 A MDmesh M2  
Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages  
Datasheet - production data  
Features  
Order codes  
STB24N65M2  
STF24N65M2  
STP24N65M2  
VDS  
RDS(on) max  
ID  
650 V  
0.23 Ω  
16 A  
Extremely low gate charge  
Excellent output capacitance (Coss) profile  
100% avalanche tested  
Zener-protected  
Figure 1: Internal schematic diagram  
Applications  
Switching applications  
Description  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using MDmesh™ M2 technology.  
Thanks to their strip layout and improved vertical  
structure, the devices exhibit low on-resistance  
and optimized switching characteristics,  
rendering them suitable for the most demanding  
high efficiency converters.  
Table 1: Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
Tape and  
reel  
STB24N65M2  
D2PAK  
24N65M2  
STF24N65M2  
STP24N65M2  
TO-220FP  
TO-220  
Tube  
November 2014  
DocID026475 Rev 2  
1/20  
www.st.com  
This is information on a product in full production.  

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