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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
19页 | 996K | |
描述 | ||
N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II Power MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 0.9 | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 17 A |
最大漏极电流 (ID): | 17 A | 最大漏源导通电阻: | 0.19 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 68 A | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STF24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET, |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF24NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO | |
STF25A60 | SEMIWELL |
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Bi-Directional Triode Thyristor | |
STF25A60 | WINSEMI |
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Bi-Directional Triode Thyristor | |
STF25N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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STF25N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET | |
STF25NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET | |
STF25NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET | |
STF25NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh? II Powe | |
STF26N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、165 mOhm典型值、18 A MDmesh DM6功率MOSFET, | |
STF26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,T |