5秒后页面跳转
STF24NM60N PDF预览

STF24NM60N

更新时间: 2024-11-23 12:27:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
19页 996K
描述
N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh™ II Power MOSFET

STF24NM60N 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:0.9雪崩能效等级(Eas):300 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):17 A
最大漏极电流 (ID):17 A最大漏源导通电阻:0.19 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):68 A子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STF24NM60N 数据手册

 浏览型号STF24NM60N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STF24NM60N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STF24NM60N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STF24NM60N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STF24NM60N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STF24NM60N的Datasheet PDF文件第7页 
STF24NM60N, STI24NM60N  
STP24NM60N, STW24NM60N  
N-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh™ II Power MOSFET  
TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247  
Features  
TAB  
VDSS  
(@Tjmax)  
RDS(on)  
max.  
Order codes  
ID  
3
3
2
STF24NM60N  
STI24NM60N  
STP24NM60N  
STW24NM60N  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
< 0.19 Ω  
< 0.19 Ω  
< 0.19 Ω  
< 0.19 Ω  
17 A  
17 A  
17 A  
17 A  
2
1
1
2
I PAK  
TO-220FP  
100% avalanche tested  
3
3
2
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
2
1
1
TO-247  
TO-220  
Applications  
Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
$ꢅꢆ OR 4!"ꢇ  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using the second generation of  
MDmesh™ technology. This revolutionary Power  
MOSFET associates a vertical structure to the  
company’s strip layout to yield one of the world’s  
lowest on-resistance and gate charge. It is  
therefore suitable for the most demanding high  
efficiency converters.  
'ꢅꢁꢇ  
3ꢅꢈꢇ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
TO-220FP  
Packaging  
STF24NM60N  
STI24NM60N  
STP24NM60N  
STW24NM60N  
I2PAK  
TO-220  
TO-247  
24NM60N  
Tube  
August 2011  
Doc ID 18047 Rev 3  
1/19  
www.st.com  
19  
 

STF24NM60N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STF24N60M2 STMICROELECTRONICS

类似代替

N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET,

与STF24NM60N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STF24NM65N STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO
STF25A60 SEMIWELL

获取价格

Bi-Directional Triode Thyristor
STF25A60 WINSEMI

获取价格

Bi-Directional Triode Thyristor
STF25N60M2-EP STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSF
STF25N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET
STF25NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STF25NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STF25NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh? II Powe
STF26N60DM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、165 mOhm典型值、18 A MDmesh DM6功率MOSFET,
STF26N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,T