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STF24N60M2

更新时间: 2024-11-24 14:57:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
13页 1112K
描述
N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP封装

STF24N60M2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:16 weeks风险等级:0.91
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

STF24N60M2 数据手册

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STF24N60M2,STFI24N60M2  
TO-220I2PAKFPN-600 V,0.168 Ω (典型值18 A  
MDmesh II Pluslow Qg (低栅电荷)功率 MOSFET  
数据手册 生产数据  
特性  
订购码  
VDS @ TJmax  
650 V  
RDS(on) max  
0.19 Ω  
ID  
STF24N60M2  
18 A  
STFI24N60M2  
3
• 极低的栅极电荷  
2
1
1
2
3
• 比前代产品具有更低的导通电阻 x 面积值  
• 低栅极输入阻抗  
TO-220FP  
I2PAKFP  
(TO-281)  
• 100%崩测试  
• 齐纳保护  
应用  
Figure 1. 内部原理图  
D(2)  
• 开关应用  
• LLC换器,谐振转换器  
描述  
G(1)  
这些器件都是利用新一MDmesh—  
MDmesh II Pluslow Q (低栅电荷)N-道功  
g
MOSFET行开发的。这些革命性的功MOSFET  
将垂直结构引入到公司的横向版图设计中,从而  
获得世界上最小的导通电阻和栅极电荷值。因此,  
它们可以完全满足制作高效率电源转换器的严苛  
要求。  
S(3)  
AM01476v1  
Table 1. 器件总览  
订购码  
标记  
封装  
包装  
条管  
STF24N60M2  
TO-220FP  
24N60M2  
STFI24N60M2  
I2PAKFPTO-281)  
8 2013  
DocID024026 4版  
1/13  
这是关于全面投产产品的信息。  
www.st.com  
13  

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