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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
13页 | 1112K | |
描述 | ||
N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP封装 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 16 weeks | 风险等级: | 0.91 |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STF24NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II | |
STI24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET, |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF24N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET,T | |
STF24N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.185 Ohm典型值、16 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STF24NF12 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 120V - 0.070Ω - 24A TO-220FP Low ga | |
STF24NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II | |
STF24NM65N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO | |
STF25A60 | SEMIWELL |
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Bi-Directional Triode Thyristor | |
STF25A60 | WINSEMI |
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Bi-Directional Triode Thyristor | |
STF25N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSF | |
STF25N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET | |
STF25NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |