STI24N60M2

更新时间： 2024-11-24 11:16:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管功率场效应晶体管
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22页	1573K
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N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，I2PAK封装

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STI24N60M2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	2.29	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STI24N60M2 数据手册

STB24N60M2, STI24N60M2,

STP24N60M2, STW24N60M2

N-channel 600 V, 0.168 Ω typ., 18 A MDmesh II Plus™ low Q_g

Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220 and TO-247 packages

Datasheet

−

production data

Features

TAB

Order codes V_DS@ T_JmaxR_DS(on)max

I_D

STB24N60M2

STI24N60M2

D²PAK

I²PAK

650 V

0.19 Ω

18 A

STP24N60M2

STW24N60M2

TAB

• Extremely low gate charge

• Lower R_DS(on)x area vs previous generation

• Low gate input resistance

• 100% avalanche tested

TO-220

TO-247

Figure 1. Internal schematic diagram

• Zener-protected

D(2, TAB)

Applications

• Switching applications

Description

G(1)

These devices are N-channel Power MOSFETs

developed using a new generation of MDmesh™

technology: MDmesh II Plus™ low Q_g. These

revolutionary Power MOSFETs associate a

vertical structure to the company's strip layout to

yield one of the world's lowest on-resistance and

gate charge. They are therefore suitable for the

most demanding high efficiency converters.

S(3)

AM01476v1

Table 1. Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB24N60M2

STI24N60M2

STP24N60M2

STW24N60M2

D²PAK

I²PAK

Tape and reel

24N60M2

TO-220

TO-247

Tube

May 2013

DocID023964 Rev 4

1/22

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...22

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STI24N60M2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STF24NM60N	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600 V, 0.168 Î©, 17 A MDmeshâ¢ II

与STI24N60M2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI24NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.168 Î©, 17 A MDmeshâ¢ II
STI24NM65N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO
STI2506	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
STI25NM60ND	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Powe
STI260N6F6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60 V, 0.0024 Î©, 120 A STripFETâ¢
STI26NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2
STI270N4F3	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET
STI28N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，
STI30	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
STI3003D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3

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