5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STI24N60M2
STI24N60M2 PDF预览

STI24N60M2

更新时间： 2024-09-19 11:16:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
22页 1573K
描述
N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，I2PAK封装

阅读下载

中文翻译

获取价格

STI24N60M2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：2.29雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.19 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STI24N60M2 数据手册

 浏览型号STI24N60M2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STI24N60M2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STI24N60M2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STI24N60M2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STI24N60M2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STI24N60M2的Datasheet PDF文件第7页 
STB24N60M2, STI24N60M2,  
STP24N60M2, STW24N60M2  
N-channel 600 V, 0.168 Ω typ., 18 A MDmesh II Plus™ low Qg  
Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages  
Datasheet  
−
production data  
Features  
TAB  
TAB  
Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max  
ID  
2
1
3
STB24N60M2  
STI24N60M2  
3
D2PAK  
2
1
I2PAK  
650 V  
0.19 Ω  
18 A  
STP24N60M2  
STW24N60M2  
TAB  
• Extremely low gate charge  
3
3
• Lower RDS(on) x area vs previous generation  
• Low gate input resistance  
• 100% avalanche tested  
2
2
1
1
TO-220  
TO-247  
Figure 1. Internal schematic diagram  
• Zener-protected  
D(2, TAB)  
Applications  
• Switching applications  
Description  
G(1)  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using a new generation of MDmesh™  
technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These  
revolutionary Power MOSFETs associate a  
vertical structure to the company's strip layout to  
yield one of the world's lowest on-resistance and  
gate charge. They are therefore suitable for the  
most demanding high efficiency converters.  
S(3)  
AM01476v1  
Table 1. Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB24N60M2  
STI24N60M2  
STP24N60M2  
STW24N60M2  
D2PAK  
I2PAK  
Tape and reel  
24N60M2  
TO-220  
TO-247  
Tube  
May 2013  
DocID023964 Rev 4  
1/22  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
22  
1234567...22

中文翻译

下载PDF

STI24N60M2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STF24NM60N STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh™ II

与STI24N60M2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STI24NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh™ II
STI24NM65N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO
STI2506 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66
STI25NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Powe
STI260N6F6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET™
STI26NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2
STI270N4F3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET
STI28N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，
STI30 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
STI3003D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

与STI24N60M2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证