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SIHF18N50D-E3

更新时间： 2024-09-25 21:09:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	170K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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SIHF18N50D-E3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	2.11
雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	53 A	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF18N50D-E3 数据手册

SiHF18N50D

Vishay Siliconix

www.vishay.com

D Series Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Optimal Design

550

V_DS(V) at T_Jmax.

_DS(on)max. at 25 °C ()

Q_g(max.) (nC)

- Low Area Specific On-Resistance

- Low Input Capacitance (C_iss

- Reduced Capacitive Switching Losses

- High Body Diode Ruggedness

- Avalanche Energy Rated (UIS)

• Optimal Efficiency and Operation

- Low Cost

V_GS= 10 V

0.28

)

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

- Simple Gate Drive Circuitry

- Low Figure-of-Merit (FOM): R_onx Q_g

- Fast Switching

TO-220 FULLPAK

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Note

* Lead (Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant.

Exemptions may apply.

APPLICATIONS

• Consumer Electronics

N-Channel MOSFET

- Displays (LCD or Plasma TV)

• Server and Telecom Power Supplies

- SMPS

• Industrial

- Welding

- Induction Heating

- Motor Drives

• Battery Chargers

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

SiHF18N50D-E3

Lead (Pb)-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Gate-Source Voltage AC (f > 1 Hz)

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^e

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

0.3

W/°C

E_AS

P_D

115

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

Drain-Source Voltage Slope

Reverse Diode dV/dt ^(d)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

°C

T_J= 125 °C

0.4

300

dV/dt

V/ns

°C

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^c

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 2.3 mH, R_g= 25 , I_AS= 10 A.

c. 1.6 mm from case.

d. I_SD I_D, starting T_J= 25 °C.

e. Limited by maximum junction temperature.

S12-1228-Rev. A, 21-May-12

Document Number: 91507

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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