5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.14 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 37 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHF520S | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
|
| SIHF520S-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, |
|
| SIHF520S-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AN |
|
| SIHF520STRL-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| SIHF530 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHF530-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHF530S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHF530S-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHF530S-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHF530STL | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
