Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHF530STR-E3

SIHF530STR-E3

更新时间： 2024-11-01 09:25:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
9页	176K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF530STR-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	69 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	88 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF530STR-E3 数据手册

IRF530S, SiHF530S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

100

R_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.16

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

5.5

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides

the highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK (TO-263) is suitable for high current applications

because of its low internal connection resistance and can

dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

SiHF530STRL-GE3^a

IRF530STRLPbF^a

SiHF530STL-E3^a

D²PAK (TO-263)

SiHF530STRR-GE3^a

IRF530STRRPbF^a

SiHF530STR-E3^a

Lead (Pb)-free and Halogen-free SiHF530S-GE3

IRF530SPbF

Lead (Pb)-free

SiHF530S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.59

0.025

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

8.8

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

3.7

T_A= 25 °C

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 528 μH, R_g= 25 , I_AS= 14 A (see fig. 12).

c. I_SD 14 A, dI/dt  140 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91020

S11-1046-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与SIHF530STR-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF530STRL-GE3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF530STRR-GE3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
SIHF540	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
SIHF540S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540S-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540S-GE3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540STL	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3

与SIHF530STR-E3相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF530STR-E3

SIHF530STR-E3 技术参数

SIHF530STR-E3 数据手册

与SIHF530STR-E3相关器件

与SIHF530STR-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF530STR-E3

SIHF530STR-E3 技术参数

SIHF530STR-E3 数据手册

与SIHF530STR-E3相关器件

与SIHF530STR-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？