是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.09 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 230 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 28 A | 最大漏极电流 (ID): | 28 A |
最大漏源导通电阻: | 0.077 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHF540S | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF540S-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF540S-GE3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF540STL | VISHAY |
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TRANSISTOR 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 | |
SIHF540STL-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF540STR | VISHAY |
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TRANSISTOR 28 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 | |
SIHF540STR-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF540STRL-GE3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF540STRR-GE3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF5N50D | VISHAY |
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D Series Power MOSFET |