Datasheet > SIHF610STR-E3

SIHF610STR-E3

更新时间： 2024-09-15 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	199K
描述
TRANSISTOR 3.3 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF610STR-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	64 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.3 A	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF610STR-E3 数据手册

IRF610S, SiHF610S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

200

R_DS(on)()

V_GS= 10 V

1.5

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

Configuration

Single

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

D²PAK (TO-263)

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It

provides the highest power capability and the lowest

possible on-resistance in any existing surface mount

package. The D²PAK (TO-263) is suitable for high current

applications because of its low internal connection

resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface

mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

D²PAK (TO-263)

SiHF610S-GE3

IRF610SPbF

D²PAK (TO-263)

SiHF610STRL-GE3^a

IRF610STRLPbF^a

SiHF610STL-E3^a

D²PAK (TO-263)

SiHF610STRR-GE3^a

IRF610STRRPbF^a

SiHF610STR-E3^a

Lead (Pb)-free

SiHF610S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

V_DS

LIMIT

200

UNIT

V_GS

_C= 25 °C

3.3

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

_C= 100 °C

2.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.29

0.025

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

3.3

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

3.6

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

V/ns

°C

3.0

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 8.8 mH, R_g= 25 , I_AS= 3.3 A (see fig. 12).

c. I_SD 3.3 A, dI/dt  70 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91024

S11-1046-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与SIHF610STR-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF610STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.3 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF610STRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.3 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF614-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO
SIHF614S	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
SIHF614S-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO
SIHF614S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND R
SIHF614STL	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
SIHF614STR	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, F
SIHF614STR-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO
SIHF620	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHF610STR-E3相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

5
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

5
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

76

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF610STR-E3

SIHF610STR-E3 技术参数

SIHF610STR-E3 数据手册

与SIHF610STR-E3相关器件

与SIHF610STR-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF610STR-E3

SIHF610STR-E3 技术参数

SIHF610STR-E3 数据手册

与SIHF610STR-E3相关器件

与SIHF610STR-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？