Datasheet > SIHF620STL-E3

SIHF620STL-E3

更新时间： 2024-11-06 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	162K
描述
TRANSISTOR 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF620STL-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.2 A	最大漏极电流 (ID)：	5.2 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF620STL-E3 数据手册

IRF620S, SiHF620S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

200

Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.80

Q_g(Max.) (nC)

3.0

_gs(nC)

_gd(nC)

7.9

• Simple Drive Requirements

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Configuration

Single

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides

the highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK (TO-263) is suitable for high current applications

because of its low internal connection resistance and can

dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

D²PAK (TO-263)

SiHF620STRL-GE3^a

IRF620STRLPbF^a

SiHF620STL-E3^a

D²PAK (TO-263)

SiHF620S-GE3

IRF620SPbF

SiHF620S-E3

SiHF620STRR-GE3^a

IRF620STRRPbF^a

SiHF620STR-E3^a

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

V_DS

LIMIT

200

UNIT

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

5.2

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

3.3

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

0.025

110

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

5.2

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

3.0

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 6.1 mH, R_g= 25 , I_AS= 5.2 A (see fig. 12).

c. I_SD 5.2 A, dI/dt  95 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91028

S11-1046-Rev. D, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与SIHF620STL-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF620STR	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF620STR-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SIHF620STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF620STRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF624	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF624-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF624S	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.4 A, 250 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF624S-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.4 A, 250 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SIHF630	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
SIHF630	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHF620STL-E3相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF620STL-E3

SIHF620STL-E3 技术参数

SIHF620STL-E3 数据手册

与SIHF620STL-E3相关器件

与SIHF620STL-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF620STL-E3

SIHF620STL-E3 技术参数

SIHF620STL-E3 数据手册

与SIHF620STL-E3相关器件

与SIHF620STL-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？