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SIHF530STR

更新时间： 2024-11-01 13:13:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 608K
描述
TRANSISTOR 14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF530STR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.08其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：69 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：88 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHF530STR 数据手册

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IRF530, SiHF530  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
100  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.16  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
26  
5.5  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
11  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF530PbF  
SiHF530-E3  
IRF530  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF530  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
100  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
14  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
10  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
56  
Linear Derating Factor  
0.59  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
69  
14  
EAR  
8.8  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
T
C = 25 °C  
PD  
88  
5.5  
dV/dt  
TJ, Tstg  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 528 µH, RG = 25 Ω, IAS = 14 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 14 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91019  
S-81240-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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