SIHF530STR

更新时间： 2024-09-13 13:13:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	608K
描述
TRANSISTOR 14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF530STR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	69 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	88 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF530STR 数据手册

IRF530, SiHF530

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.16

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

5.5

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF530PbF

SiHF530-E3

IRF530

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF530

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

100

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.59

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

E_AR

8.8

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

5.5

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 528 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 14 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 14 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91019

S-81240-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SIHF530STR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF530STR-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF530STRL-GE3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF530STRR-GE3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
SIHF540	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
SIHF540S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540S-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF540S-GE3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHF530STR相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

100
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

114

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF530STR

SIHF530STR 技术参数

SIHF530STR 数据手册

与SIHF530STR相关器件

与SIHF530STR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF530STR

SIHF530STR 技术参数

SIHF530STR 数据手册

与SIHF530STR相关器件

与SIHF530STR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？