SIHF510STR

更新时间： 2024-11-21 13:02:35

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1065K
描述
TRANSISTOR 5.6 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF510STR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.6 A	最大漏极电流 (ID)：	5.6 A
最大漏源导通电阻：	0.54 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	43 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF510STR 数据手册

IRF510, SiHF510

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.54

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

8.3

2.3

• Ease of Paralleling

Q_gd(nC)

3.8

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF510PbF

SiHF510-E3

IRF510

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF510

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

5.6

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

4.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.29

100

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

5.6

E_AR

4.3

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.8 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 75 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91015

S-81377-Rev. A, 30-Jun-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF510STR-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.6 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SIHF510STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.6 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AN
SIHF520	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF520-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF520S	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
SIHF520S-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SIHF520S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AN
SIHF520STRL-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
SIHF530	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF530-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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