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STF23NM50N

更新时间: 2024-11-23 12:01:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
21页 867K
描述
N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, D²PAK MDmesh™ II Power MOSFET

STF23NM50N 数据手册

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STB23NM50N, STF23NM50N  
STP23NM50N, STW23NM50N  
N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, D²PAK  
MDmesh™ II Power MOSFET  
Features  
VDSS  
(@Tjmax)  
RDS(on)  
max.  
Order codes  
ID  
3
3
2
2
1
STB23NM50N  
STF23NM50N  
STP23NM50N  
STW23NM50N  
1
TO-220  
TO-220FP  
550 V  
< 0.19 Ω  
17 A  
100% avalanche tested  
3
1
3
2
1
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
D²PAK  
TO-247  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Switching applications  
Description  
$ꢅꢆꢇ  
These devices are made using the second  
generation of MDmesh™ technology. This  
revolutionary Power MOSFET associates a new  
vertical structure to the company’s strip layout to  
yield one of the world’s lowest on-resistance and  
gate charge. It is therefore suitable for the most  
demanding high efficiency converters.  
'ꢅꢁꢇ  
3ꢅꢈꢇ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
PAK  
Packaging  
STB23NM50N  
STF23NM50N  
STP23NM50N  
STW23NM50N  
Tape and reel  
TO-220FP  
TO-220  
23NM50N  
Tube  
TO-247  
May 2011  
Doc ID 16913 Rev 4  
1/21  
www.st.com  
21  

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