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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPP50R199CP
IPP50R199CP PDF预览

IPP50R199CP

更新时间： 2024-10-01 11:08:51
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 279K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

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IPP50R199CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.65Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：436 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.199 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：139 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP50R199CP 数据手册

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IPP50R199CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @Tjmax  
R DS(on),max  
Q g,typ  
V
550  
0.199  
34  
V
• Lowest figure-of -merit RON x Qg  
• Ultra low gate charge  
Ω
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Quailfied according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO220  
CoolMOS CP is designed for:  
• Hard & soft switching SMPS topologies  
• CCM PFC for ATX, Notebook adapter and PDP and LCD TV  
• PWM for ATX, Notebook adapter, PDP & LCD TV  
Type  
Package  
Marking  
IPP50R199CP  
PG-TO220  
5R199P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
17  
11  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
40  
I D,pulse  
E AS  
I D=6.6 A, V DD=50 V  
I D=6.6 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
436  
0.66  
6.6  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
I AR  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...400 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
139  
-55 ... 150  
60  
static  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M3 and M3.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 2.0  
2007-11-06  
1234567...10

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IPP50R199CP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPA50R199CP INFINEON

类似代替

 CoolMos Power Transistor
STF23NM50N STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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