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IPP50R399CPXKSA1

更新时间： 2024-11-24 21:14:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 271K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP50R399CPXKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.48
雪崩能效等级（Eas）：215 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.399 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP50R399CPXKSA1 数据手册

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IPP50R399CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @Tjmax  
R DS(on),max  
Q g,typ  
V
560  
0.399  
17  
V
• Lowest figure-of-merit RON x Qg  
• Ultra low gate charge  
Ω
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Quailfied according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO220  
CoolMOS CP is designed for:  
• Hard and soft switching SMPS topologies  
• DCM PFC for Lamp Ballast  
• PWM for Lamp Ballast, LCD & PDP TV  
Type  
Package  
Marking  
IPP50R399CP  
PG-TO220  
5R399P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
9
6
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
20  
I D,pulse  
E AS  
I D=3.3 A, V DD=50 V  
I D=3.3 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
215  
0.33  
3.3  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
I AR  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...400 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
83  
static  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
60  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M3 and M3.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 2.0  
2007-11-06  
1234567...10

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IPP50R399CPXKSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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