5秒后页面跳转
IPP60R099CP PDF预览

IPP60R099CP

更新时间: 2024-11-02 03:44:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 324K
描述
CoolMOS Power Transistor

IPP60R099CP 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:7.82Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):800 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):31 A
最大漏极电流 (ID):31 A最大漏源导通电阻:0.099 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):255 W最大脉冲漏极电流 (IDM):93 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP60R099CP 数据手册

 浏览型号IPP60R099CP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP60R099CP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP60R099CP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP60R099CP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP60R099CP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP60R099CP的Datasheet PDF文件第7页 
IPP60R099CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @ Tj,max  
R DS(on),max  
Q g,typ  
V
650  
0.099  
60  
V
• Worldwide best R ds,on in TO220  
• Ultra low gate charge  
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO220  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
CoolMOS CP is specially designed for:  
• Hard switching SMPS topologies for Server and Telecon  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
IPP60R099CP  
PG-TO220  
SP000057021  
6R099  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
31  
19  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
93  
I D,pulse  
E AS  
I D=11 A, V DD=50 V  
I D=11 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
800  
1.2  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
I AR  
11  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...480 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
255  
-55 ... 150  
60  
static  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M3 and M3.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 2.0  
2006-06-19  

IPP60R099CP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP60R099CPA INFINEON

类似代替

CoolMOS Power Transistor
SIHP30N60E-GE3 VISHAY

功能相似

E Series Power MOSFET
IPW60R099CP INFINEON

功能相似

CoolMOS Power Transistor

与IPP60R099CP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP60R099CP_07 INFINEON

获取价格

CoolMOSTM Power Transistor
IPP60R099CPA INFINEON

获取价格

CoolMOS Power Transistor
IPP60R099CPAAKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP60R099CPAXK INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP60R099CPXKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP60R099P6 INFINEON

获取价格

英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率,同时易于在
IPP60R099P6XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IPP60R099P7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS? P7 是600V CoolMOS? P6 系列的后续产品。该产
IPP60R099P7XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IPP60R105CFD7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj