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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 215 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.399 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP50R399CPXKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPA50R399CP | INFINEON |
类似代替 |
CoolMOSTM Power Transistor |
|
| IPA50R350CP | INFINEON |
类似代替 |
CoolMOSTM Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP50R399CPXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPP50R500C | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| IPP50R500C_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| IPP50R500CE | INFINEON |
获取价格 |
500V Superjunction MOSFET for Consumer and Lighting Applications |
|
| IPP50R520CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
|
| IPP50R520CPXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP530N15N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPP530N15N3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP600N25N3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
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| IPP600N25N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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