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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 249 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 211 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP60R040C7_15 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPP60R040C7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPP60R040S7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET (IPP60R040S7) 针对低导 |
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| IPP60R060C7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C |
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| IPP60R060P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产 |
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| IPP60R065S7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? S7 超结 MOSFET (IPP60R065S7) 针对低导 |
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| IPP60R070CFD7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPP60R080P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产 |
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| IPP60R080P7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPP60R090CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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