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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 31 A | 最大漏极电流 (ID)： | 31 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 255 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 93 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP60R099CP | INFINEON |
类似代替  |
CoolMOS Power Transistor |
|
| STP42N65M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 650 V, 0.070 Ω, 33 A MDmesh⢠V P |
|
| STP34NM60N | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600 V, 0.092 Ω, 29 A MDmesh? II Pow |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP60R099CPAAKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP60R099CPAXK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP60R099CPXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP60R099P6 | INFINEON |
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英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
|
| IPP60R099P6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPP60R099P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? P7 是600V CoolMOS? P6 系列的后续产品。该产 |
|
| IPP60R099P7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IPP60R105CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
|
| IPP60R105CFD7XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IPP60R120C7 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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