Datasheet > IPP60R099CPXKSA1

IPP60R099CPXKSA1

更新时间： 2024-11-26 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网 PC 开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	572K
描述
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP60R099CPXKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	7.81	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	1321081
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical	Samacsys Footprint Name：	PG-TO220-3_7
Samacsys Released Date：	2018-07-10 11:06:30	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	31 A
最大漏源导通电阻：	0.099 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	93 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP60R099CPXKSA1 数据手册

9??-'@'004?

4VVS=>A^B=# : A0< & <,9 =4=>: <

7LHZ[XLY

# <: /?.> % ?88,<C

_!/ꢒ 0_Z%]Qh

/.)

)')22

U 3 CF@8K=89 69GH + _{Tc%_^}=B 0+ ꢀ ꢀ ꢁ

U 1 @HF5 @CK ;5H9 7<5F;9

=K"_^#%]Qh

W%di`

U " LHF9A9 8Jꢂ8H F5H98

U % =;< D95? 7IFF9B H 75D56=@=HM

ꢃ ꢄ

U - I5@=:=98 for industrial grade applications 577CF8=B ; HC ' " !"

U ,6ꢅ:F99 @958 D@5H=B ;ꢆ . C% / 7CAD@=5B H; Halogen free mold compound

H@&LG++)

ꢀ : : 7! " % ꢀ # 4= =;0.4,77C /0=429 0/ 1: <ꢁ

U % 5F8 GK=H7<=B ; /) ,/ HCDC@C;=9G :CF /9FJ9F 5B 8 09@97CB

B_WL

?HJRHNL

" </0<49 2 ꢀ : /0

=HXRPUN

BHH/)J)22<H

H@&LG++)

KH)))).0)+*

/J)22

! ,B48?8 <,>49 2=ꢂ 5H , _Zꢇ ꢀ ꢈ X ꢉ IB @9GG CH<9FK=G9 GD97=:=98

DHS[L

?HXHTLZLX

A_TIVS 4VUKPZPVUY

CUPZ

(

, _<ꢇ ꢀ ꢈ X

, _<ꢇ ꢃ ꢁ ꢁ X

, _<ꢇ ꢀ ꢈ X

CB H=B ICIG 8F5=B 7IFF9B H

,I@G98 8F5=B 7IFF9B H^+#

(

=%`e\cU

(

( ₌ꢇ ꢃ ꢃ ꢊ ꢉ - ₌₌ꢇ ꢈ ꢁ 2

ꢊ J5@5B 7<9 9B 9F;Mꢉ G=B ;@9 DI@G9

ꢊ J5@5B 7<9 9B 9F;Mꢉ F9D9H=H=J9 1 _9J

1))

*'+

+#%,#

ꢊ J5@5B 7<9 7IFF9B Hꢉ F9D9H=H=J9 1 _9J

) + /# " 0 82 (T1 FI;;98B 9GG

$ 5H9 GCIF79 JC@H5;9

_=Kꢇ ꢁ ꢋꢋꢋꢌ ꢍ ꢁ 2

82 (T1

N(^c

u+)

u,)

+..

ꢅꢈ ꢈ ꢋꢋꢋ ꢃ ꢈ ꢁ

ꢑ ꢁ

cdQdYS

ꢊ ꢎ/ ꢏ ꢃ % Nꢄ

, _<ꢇ ꢀ ꢈ X

)

,CK9F 8=GG=D5H=CB

d_d

, _Zꢉ , _cdW

+ D9F5H=B ; 5B 8 GHCF5;9 H9AD9F5HIF9

) CIB H=B ; HCFEI9

) ꢐ 5B 8 ) ꢐ ꢋꢈ G7F9KG

D5;9 ꢃ

* 7A

. 9Jꢋ ꢀ ꢋꢀ

ꢀ ꢁ ꢁ ꢓ ꢅꢁ ꢍ ꢅꢀ ꢍ

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IPP60R099CPXKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP60R099P6	INFINEON	获取价格	英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在
IPP60R099P6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPP60R099P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? P7 是600V CoolMOS? P6 系列的后续产品。该产
IPP60R099P7XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IPP60R105CFD7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPP60R105CFD7XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPP60R120C7	ISC	获取价格	N-Channel MOSFET Transistor
IPP60R120C7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C
IPP60R120P7	ISC	获取价格	N-Channel MOSFET Transistor
IPP60R120P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产

与IPP60R099CPXKSA1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP60R099CPXKSA1

IPP60R099CPXKSA1 技术参数

IPP60R099CPXKSA1 数据手册

与IPP60R099CPXKSA1相关器件

与IPP60R099CPXKSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP60R099CPXKSA1

IPP60R099CPXKSA1 技术参数

IPP60R099CPXKSA1 数据手册

与IPP60R099CPXKSA1相关器件

与IPP60R099CPXKSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？