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IPP60R099P7XKSA1 PDF预览

IPP60R099P7XKSA1

更新时间： 2024-11-26 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1689K
描述
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IPP60R099P7XKSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：2.18雪崩能效等级（Eas）：105 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏源导通电阻：0.099 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP60R099P7XKSA1 数据手册

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IPP60R099P7  
MOSFET  
PG-TOꢀ220  
600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor  
TheꢀCoolMOS™ꢀ7thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor  
highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction  
(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V  
CoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseries.ꢀIt  
combinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellentꢀease  
ofꢀuse,ꢀe.g.ꢀveryꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀoutstandingꢀrobustnessꢀofꢀbody  
diodeꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀandꢀexcellentꢀESDꢀcapability.  
Furthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmake  
switchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompactꢀandꢀmuch  
cooler.  
tab  
Features  
Drain  
Pin 2, Tab  
•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀLLC)ꢀdueꢀtoꢀanꢀoutstanding  
ꢀꢁcommutationꢀruggedness  
•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses  
•ꢀExcellentꢀESDꢀrobustnessꢀ>2kVꢀ(HBM)ꢀforꢀallꢀproducts  
•ꢀBetterꢀRDS(on)/packageꢀproductsꢀcomparedꢀtoꢀcompetitionꢀenabledꢀbyꢀa  
ꢀꢁlowꢀRDS(on)*Aꢀ(belowꢀ1Ohm*mm²)  
Gate  
Pin 1  
Source  
Pin 3  
•ꢀLargeꢀportfolioꢀwithꢀgranularꢀRDS(on)ꢀselectionꢀqualifiedꢀforꢀaꢀvarietyꢀof  
ꢀꢁindustrialꢀandꢀconsumerꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC  
ꢀꢁ(J-STD20ꢀandꢀJESD22)  
Benefits  
•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage  
ꢀꢁacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages  
•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀdueꢀtoꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction  
ꢀꢁlosses  
•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith  
ꢀꢁsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀtoꢀ>2ꢀkVꢀESD  
ꢀꢁprotection  
•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges  
Applications  
PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages  
forꢀe.g.ꢀꢀꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,ꢀTelecom  
andꢀUPS.  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Qg.typ  
Value  
650  
99  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
45  
ID,pulse  
100  
5.0  
Eoss@400V  
Body diode di/dt  
µJ  
900  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPP60R099P7  
PG-TO 220-3  
60R099P7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2017-05-18  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP60R105CFD7 INFINEON

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