5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPP50R250CP
IPP50R250CP PDF预览

IPP50R250CP

更新时间： 2024-02-12 02:09:32
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 277K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPP50R250CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：345 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：114 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：31 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP50R250CP 数据手册

 浏览型号IPP50R250CP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP50R250CP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP50R250CP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP50R250CP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP50R250CP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP50R250CP的Datasheet PDF文件第7页 
IPP50R250CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @Tjmax  
R DS(on),max  
Q g,typ  
V
550  
0.250  
27  
V
• Lowest figure-of-merit RON x Qg  
• Ultra low gate charge  
Ω
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Quailfied according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO220  
CoolMOS CP is designed for:  
• Hard & soft switching SMPS topologies  
• CCM PFC for ATX, Notebook adapter, PDP and LCD TV  
• PWM Stages for ATX, Notebook adapter, PDP and LCD TV  
Type  
Package  
Marking  
IPP50R250CP  
PG-TO220  
5R250P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
13  
9
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
31  
I D,pulse  
E AS  
I D=5.2 A, V DD=50 V  
I D=5.2 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
345  
0.52  
5.2  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
I AR  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...400 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
114  
-55 ... 150  
60  
static  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M3 and M3.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 2.0  
2007-11-06  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IPP50R250CP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPA50R250CP INFINEON

类似代替

 CoolMos Power Transistor

与IPP50R250CP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP50R280CE INFINEON

获取价格

 		500V Superjunction MOSFET for Consumer and Lighting Applications
IPP50R280CEXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP50R299CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOSTM Power Transistor
IPP50R350CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOSTM Power Transistor
IPP50R350CPXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP50R380CE INFINEON

获取价格

 		500V CoolMOS CE Power Transistor
IPP50R380CEXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP50R399CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOSTM Power Transistor
IPP50R399CPXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPP50R500C INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

与IPP50R250CP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证