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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 270 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STF22N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| STF22N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、196 mOhm典型值、15 A MDmesh M6功率MOSFET，T |
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| STF22NM50 | ETC |
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N-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH POWER MOSFET |
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| STF22NM60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2P |
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| STF22NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh⢠II Po |
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| STF23N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STF23NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22 |
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| STF23NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2 |
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| STF23NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.150 Ω, 19.5 A, FDmesh™ II |
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| STF24N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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